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NTHD2102PT1中文资料

  • 大小:54.73KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:58 毫欧 @ 3.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 2.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:715pF @ 6.4V
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装:ChipFET?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTHD2102PT1OS

NTHD2102PT1供应商

更新时间:2023-01-03 16:45:37
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